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随着全球人工智能热潮持续推高高带宽内存（HBM）需求，中国DRAM制造商长鑫存储（CXMT）正加速扩大产能，希望在传统内存市场填补供应缺口。
根据TrendForce与Counterpoint Research的最新研究，长鑫存储未来几年将大幅提升DRAM制造能力。
其中最引人关注的是，公司预计在未来一年内新增超过10万片晶圆的月产能，使总月产能从目前约32万片提升至42万片以上。
到2028年底，其月产能有望进一步跃升至60万片，较当前水平增长87.
5%。
研究机构认为，随着三星电子、SK海力士和美光等全球主要存储厂商将大量资源投入利润更高、需求更旺盛的HBM产品，普通DRAM市场正在出现供给紧张局面。
HBM需要将多层DRAM芯片进行堆叠，并采用复杂先进的封装技术，因此大型厂商正在优先保障AI服务器和数据中心客户的需求。
相比之下，长鑫存储目前的重点仍然放在标准DRAM产品领域。
由于通用DRAM制造难度和技术门槛相对较低，公司得以将更多资源用于扩大产能，并瞄准受到存储器短缺影响最明显的消费电子市场。
数据显示，长鑫存储计划在2027年将DRAM产能提升31%，而2028年则进一步提升87.
5%。
推动扩张的重要力量之一将是北京新规划建设的生产设施。
此前已有消息显示，该项目正在寻求政府层面的支持，以加快建设进程。
业内分析认为，长鑫存储新增的产能将主要流向面向消费电子领域的通用DRAM市场。
这一市场近年来因AI产业大量吸收存储资源而持续承压，导致PC、智能手机以及其他消费电子设备制造商面临采购成本上升和供应紧张的问题。
在这一背景下，苹果被广泛认为正寻求采购长鑫存储的内存产品，以满足中国市场相关设备的需求。
市场此前甚至传出消息称，在价格谈判过程中，长鑫存储拒绝了苹果提出的降价要求，并给出了与三星等国际存储巨头相当，甚至更高的报价。
分析人士指出，若长鑫存储能够按计划完成扩产，其将成为全球通用DRAM市场中越来越重要的供应力量。
在国际存储厂商持续向AI和HBM领域倾斜资源的背景下，这家中国企业未来数年或将在缓解消费电子行业存储器供应压力方面发挥关键作用。
特别
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